Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Palun kontrollige hiljem uuesti.
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
€ 83,50
€ 83,50 tk (ilma käibemaksuta)
€ 101,87
€ 101,87 tk (koos käibemaksuga)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1
€ 83,50
€ 83,50 tk (ilma käibemaksuta)
€ 101,87
€ 101,87 tk (koos käibemaksuga)
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
1
Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N