Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
39 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Number of Transistors
7
Maximum Power Dissipation
175 W
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
€ 32,80
€ 32,80 tk (alus) (ilma käibemaksuta)
€ 40,67
€ 40,67 tk (alus) (koos käibemaksuga)
Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
Valige pakendi tüüp
Tootmispakett (Salve)
1
€ 32,80
€ 32,80 tk (alus) (ilma käibemaksuta)
€ 40,67
€ 40,67 tk (alus) (koos käibemaksuga)
Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Valige pakendi tüüp
Tootmispakett (Salve)
1
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Palun kontrollige hiljem uuesti.
Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
39 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/-20V
Number of Transistors
7
Maximum Power Dissipation
175 W