Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N

RS tootekood: 167-970Bränd: InfineonTootja Part nr.: BSS138N
Kuva kõik kategoorias MOSFETs

Tehnilised dokumendid

Spetsifikatsioonid:

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Teid võib huvitada
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
€ 0,254tk (pakis 25) (ilma käibemaksuta)
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.

P.O.A.

tk (pakis 100) (ilma käibemaksuta)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Valige pakendi tüüp

P.O.A.

tk (pakis 100) (ilma käibemaksuta)

Transistor, MOS, N ch,50V,BSS138N
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Valige pakendi tüüp

Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.

Palun kontrollige hiljem uuesti.

Teid võib huvitada
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
€ 0,254tk (pakis 25) (ilma käibemaksuta)

Tehnilised dokumendid

Spetsifikatsioonid:

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

230 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

360 mW

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.4 nC @ 10 V

Height

1mm

Width

1.3mm

Teid võib huvitada
onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS138LT1G
€ 0,254tk (pakis 25) (ilma käibemaksuta)