Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
790 W
Number of Transistors
1
€ 246,00
€ 123,00 tk (alus) (ilma käibemaksuta)
€ 305,04
€ 152,52 tk (alus) (koos käibemaksuga)
Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Valige pakendi tüüp
Tootmispakett (Salve)
2
€ 246,00
€ 123,00 tk (alus) (ilma käibemaksuta)
€ 305,04
€ 152,52 tk (alus) (koos käibemaksuga)
Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Valige pakendi tüüp
Tootmispakett (Salve)
2
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
| kogus | Ühikuhind |
|---|---|
| 2 - 4 | € 123,00 |
| 5+ | € 111,00 |
Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonMaximum Continuous Collector Current
150 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
790 W
Number of Transistors
1


