Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
HEXFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
€ 92,50
tk (rullis) (ilma käibemaksuta)
€ 114,70
tk (rullis) (koos käibemaksuga)
Tootmispakett (Rull)
50
€ 92,50
tk (rullis) (ilma käibemaksuta)
€ 114,70
tk (rullis) (koos käibemaksuga)
Tootmispakett (Rull)
50
Lao andmed ajutiselt ei ole saadaval.
Palun kontrollige hiljem uuesti.
Tehnilised dokumendid
Spetsifikatsioonid:
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
HEXFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si